收藏本站
您好,
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册
我的买卖
新采购
99
VIP会员服务
[北京]010-87982920
[深圳]0755-82701186
网站导航
发布紧急采购
IC现货
IC急购
电子元器件
搜 索
VIP会员服务
您现在的位置:
买卖IC网
>
Sheet目录94
> MRF8P20100HSR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4
5页
6页
7页
8页
[9页]
10页
11页
12页
13页
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
17
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复。
采购需求
(若只采购一条型号,填写一行即可)
发布成功!您可以继续发布采购。也可以
进入我的后台
,查看报价
发布成功!您可以继续发布采购。也可以
进入我的后台
,查看报价
*
型号
*
数量
厂商
批号
封装
添加更多采购
我的联系方式
*
*
*
快速发布
相关PDF资料
MRF8P20140WHSR3
FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4
MRF8P20161HSR3
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
MRF8P20165WHSR3
FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4
MRF8P23080HSR3
FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4
MRF8P9040GNR1
IC MOSFET RF N-CHAN TO-270
MRF8P9300HSR6
FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
MRF8S18120HR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780
MRF8S18260HSR6
MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8
相关代理商/技术参数
MRF8P20100HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20160HR3
功能描述:DISCRETE RF FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8P20160HR5
功能描述:DISCRETE RF FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8P20160HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 160W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
我
采购
搜索
会员